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日本电产将参展 2026 年深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（PCIM Asia Shenzhen 2026）
日本电产将在 2026 年 PCIM Asia 深圳展上展示其针对绝缘栅双极型晶体管（IGBT）及碳化硅（SiC）功率半导体模块的检测平台。
www.nidec.com
日本电产先进技术株式会社（Nidec Advance Technology Corporation）宣布，将于 2026 年 8 月 26 日至 28 日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的 PCIM Asia 深圳展上展示其测试与检测解决方案，展位号为 16H15。本次展示的重点涵盖用于下一代电力电子器件的质量保证、动态特性分析以及电气测试硬件设备。
功率半导体模块与基板检测产品组合
该公司的展品重点展示了专为电力电子产线和实验室环境设计的两大核心检测系统：
- NATS-1000/1730 检测系统：专为绝缘栅双极型晶体管（IGBT）和碳化硅（SiC）功率模块的出厂前终检设计。全自动 NATS-1000 平台可在四种不同工况下执行并行测试：常温绝缘性能、高温静态特性、高温动态开关特性以及常温静态参数。手动型 NATS-1730 配置则主要面向研发与台架测试工作流程。
- NATS-2120 基板检测系统：专为搭载高压、大电流半导体的印刷电路板（PCB）基板及功率模块量身打造。该平台能够识别装配缺陷，以减少重载运行条件下的误触发、栅极误动作以及热失控风险。
这些重点展示的测试平台主要解决汽车主驱逆变器、大功率充电基础设施以及可再生能源转换系统在产能扩展与缺陷检测方面的需求。
补充背景信息
本部分详细介绍了未包含在原始新闻稿中的技术规范。
功率半导体模块的静态参数测试用于评估在受控温度条件下的直流电气特性。关键参数包括正向压降、IGBT 的集电极-发射极饱和电压、SiC MOSFET 的漏源导通电阻、栅极阈值电压以及高压阻断条件下的反向漏电流。在高达 175°C 或 200°C 的高温下进行测试至关重要，可在模块集成到实际驱动单元之前，有效检测出局部栅极氧化层缺陷、基板分层以及受温度影响的热漂移问题。
动态开关特性分析用于评估交流开关性能、瞬态开通与关断延迟、上升与下降时间，以及内置续流二极管的反向恢复特性。在高速碳化硅器件中，高电压和高电流变化率要求测试夹具必须具备超低寄生杂散电感（例如回路杂散电感低于 5 纳亨），以防止在高速双脉冲测试期间产生过大的电压过冲与振铃现象。针对功率嵌入式印刷电路板，电气绝缘检测能够验证内部铜层之间的介电绝缘电阻与局部放电限值，确保陶瓷基板和树脂层能够承受高电场应力而不发生介质击穿。
编辑：Romila DSilva（Induportals 编辑，AI 辅助生成）
补充背景信息
本部分详细介绍了未包含在原始新闻稿中的技术规范。
功率半导体模块的静态参数测试用于评估在受控温度条件下的直流电气特性。关键参数包括正向压降、IGBT 的集电极-发射极饱和电压、SiC MOSFET 的漏源导通电阻、栅极阈值电压以及高压阻断条件下的反向漏电流。在高达 175°C 或 200°C 的高温下进行测试至关重要，可在模块集成到实际驱动单元之前，有效检测出局部栅极氧化层缺陷、基板分层以及受温度影响的热漂移问题。
动态开关特性分析用于评估交流开关性能、瞬态开通与关断延迟、上升与下降时间，以及内置续流二极管的反向恢复特性。在高速碳化硅器件中，高电压和高电流变化率要求测试夹具必须具备超低寄生杂散电感（例如回路杂散电感低于 5 纳亨），以防止在高速双脉冲测试期间产生过大的电压过冲与振铃现象。针对功率嵌入式印刷电路板，电气绝缘检测能够验证内部铜层之间的介电绝缘电阻与局部放电限值，确保陶瓷基板和树脂层能够承受高电场应力而不发生介质击穿。
编辑：Romila DSilva（Induportals 编辑，AI 辅助生成）
